文献

J-GLOBAL ID：201602008830342735   整理番号：70A0036993

半導体における変調ピエゾ反射

Modulated piezoreflectance in semiconductors.

著者 (2件)： GAVINI A ,  CARDONA M
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 1  号： 2  ページ： 672-682  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ピネゾ反射を測定する事により種々の半導体の直接ギャップを測定した。立方晶物質の最も高い価電子バンド状態のせん断変形ポテンシャルb,dを応力の方向に平行,垂直に分極した光の強度と静水圧変形の既知量との比から決めた。イオン性の増加と共に,d/bの比が増加するのを簡単な点イオンモデル説明する;写図11表7参35

シソーラス用語： バンド構造
準シソーラス用語： 圧電反射 ,  圧電反射(変調) ,  変調

タイトルに関連する用語 (1件)： 変調