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J-GLOBAL ID：201602008930273480   整理番号：72A0041012

無秩序半導体におけるバンドギャップ中の離散的エネルギー準位

Discrete levels in a band gap of a disordered semiconductor.
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著者 (1件)：
BONCH-BRUEVICH V L

BONCH-BRUEVICH V L について


資料名：
Nachr Akad Wiss Goettinge  (Nachrichten der Akademie der Wissenschaften in Goettingen. 2. Mathematisch-Physikalische Klasse)

Nachr Akad Wiss Goettinge について


巻： 1971  号： 9  ページ： 195-207  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0187A  CODEN： NAAKA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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無秩序に分布している不純物によってもたらされるポテンシャルを持つような,無秩序系において,キャリアの局在状態に対応するエネルギー準位の存在について考察した。ポテンシャルに1個の電子および2個の電子がある場合を分けて考え,局在と伝導状態の問に明確な境界があることがわかった。バンドギャップ中の離散的エネルギー準位の濃度を無秩序系半導体の場合について計算した;写図2参11
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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エネルギー準位

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局在状態

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, 
不純物

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無秩序半導体

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バンドギャップ

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