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J-GLOBAL ID：201602008947348866   整理番号：65A0015263

20-600eVのArイオンによるCuおよびAl単結晶のスパッタリング

Sputtering of single-crystal copper and aluminum with 20-600 eV argon ions

著者 (2件)： ZDANUK E J ,  WOLSKY S P
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 36  号： 5  ページ： 1683-1687  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 超高真空系内における高感度微小てんびんを用いて,20-600eVのアルゴンイオンを銅単結晶の(100)面および(111)面に,またアルミニウム単結晶の(111)面に照射した時のスパッタリング収量を測定した。銅およびアルミニウムのターゲットに対するエネルギーのしきい値は20eV以下である。このしきい値近傍のスパッタリング収量はターゲットの表面の性質に著しく左右される。また銅の場合,この近傍でのスパッタリング収量の結晶面依存症は高エネルギー領域のそれとは異っている。低エネルギー領域では(100)面からの方が(111)面からの方より多いことが分った;図4参24

タイトルに関連する用語 (5件)： Arイオン ,  Cu ,  Al ,  単結晶 ,  スパッタリング