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J-GLOBAL ID：201602008999952435   整理番号：61A0120283

エサキダイオード用のひ素でドーピングしたゲルマニウム単結晶成長のための溶媒蒸発技術

Solvent evaporation technique for the growth of arsenicdoped germanium single crystals for esaki diodes.

著者 (2件)： TRUMBORE F A ,  PORRANSKY E M
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 31  号： 11  ページ： 2068  発行年： 1960年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： As-Ge系に適用して成功し,多種類の物質に使用できる溶媒蒸発技術を述べる.As-Ge融液中に回転するGe種桔晶を浸し,定温で種を融液でぬらすことから成っている.融液からAsが蒸発するので,AsでドーピングしたGeは種結晶上に析出あるいは成長する.144rpmで回転するく111>Ge種結晶を約5~10at%のAsを含む融液中に浸して実験する.回転種を約18~19時間溶融液と接触させて,30~34gの結晶を得た.この方法は,一様均質な物質が裾られ,精巧な引き上げ機構が不必要である

タイトルに関連する用語 (6件)： エサキダイオード ,  ひ素 ,  ドーピング ,  ゲルマニウム ,  単結晶成長 ,  溶媒蒸発