抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
素子の集積化が進むと共に.そのモデル的表現が重要になってく。従来提案されているEbers-Mollのモデル.Beaufoy-Sparksのモデルはそのままの形では集積回路内トランジスタ(npnp構造);;対して適用することができない。Linvillの提案になる集中定数モデルを基本にして,素子設計から回路解析にわたる広い分野で活用できるモデルを構成することを試みた。埋込み層のある集積回路内トランジスタをモデルの対象に選び,素子の構造定数,集中定数モデルパラメータおよび電気的可測量の問の関係を明確にした。節点変数とモデルパラメータの適切な選択によって,回路輌ンジスタをきわめて簡潔な形で表現することができた。冒それぼ,単一のnpnトランジスタのコレクタ側節点からサプストレイトヘリークパスをとりつけたような形になっている。このようなモデリングの店用として.トランジスタが飽和状態にあるときの応答速度について検討し.スイッチング速度を改善するためのコレクタ領域の最適設計について論じた。その結果,従来単体トランジスタについて得られていた結論を含むような形で,素子設計についてのより広い指針を得ることができた;写図8表2参12
