抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Ge(Li)(V=5~7.5cm
3)及びπ〓β線分析器(R=0.2%)を用いZ
100Pdの崩壊に伴うγ線と内部変換電子を測定した。(dターゲットを660MeV陽子で照射して線源を得た。32.7,74.8,84.0及び126.1keV転移のa
k及び32.7keV転移のL準備比を定め,多重極度を導出した。 32.7keV転移の多重極混合としてδ
2=E2/M1=0.036±0.010を得た。Q
xc=400keVとしてlogft値を出した。
100Rhの158.8keV1
+準位をP(g
9/z)n(g
〓/z)と解釈した。 基底準位(1
-)及び第1励起準位(32.7keV1,2
-)はP(g
9/z)n(h
1/2)もしくはp(g
1/2)n(3/2
+)であろう。ここにn(3/2
+)は奇中性子近傍核の3/2
+準位を意味する;写図3表1参11