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J-GLOBAL ID：201602009057620549   整理番号：74A0045857

CdSnP₂のエネルギー帯構造の電場光反射測定

Electroreflectance study of the energy band sturcture of CdSnP₂.

著者 (3件)： SHAY J L ,  BUEHLER E ,  WERNICK J H
資料名： Proc Intern Conf Phys Semicond 10th Cambridge Mass  (Proceedings International Conference on the Physics of Semiconductors 10th 700817)
ページ： 589-593  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700249  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdSnP:結晶の電場光反射スペクトルを約1~4eVのエ釈ギー域にわたって測定した。InPのEoとE,に対応する直接遷絢に,灘造が観測された。価電子帯は上からr,,r,である。これはひ杁。かかったInPとして定性的に理解することができる。こ.池にてと・亜鉛鉱型構造に比して単位細胞がZ軸方向に2倍になったこひごLS生ずる遷移が観測された;写図2表2参19

シソーラス用語： バンド構造
準シソーラス用語： CdSnP₂ ,  電場反射スペクトル

タイトルに関連する用語 (4件)： エネルギー ,  帯構造 ,  電場 ,  光反射