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J-GLOBAL ID：201602009066047118   整理番号：73A0255479

イオンインプランテーションMOSデバイスのしきい値電圧の推移の計算

Threshold shift calculations for ion implanted MOS devices.

著者 (1件)： MACPHERSON M R
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 15  号： 12  ページ： 1319-1326  発行年： 1972年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンインプランテーションをほどこしたMOSデバイスに対するボアソン方程式の解を用いて,トランジスタのしきい値電圧の推移と容量の電圧特性を解析した。酸化膜厚一定で,イオンエネルギーに対するゲートしきい値電圧推移の飽和効果がみられることを示し,深く打込んだエンハンスモードトランジスタではこの効果が大きく,十分に深く打込んだデプリーションモードトランジスタではゲート制御ができないことを述べた。ゲート酸化膜厚が0.1μ程度では,30keVで打込んだものよりも50keVで打込んだものの方がしきい値依存性が小さい;写図9参14

シソーラス用語： MOSFET ,  イオン注入 ,  しきい値 ,  電圧
準シソーラス用語： イオンインプランテーション

タイトルに関連する用語 (5件)： イオンインプランテーション ,  MOSデバイス ,  しきい値電圧 ,  推移 ,  計算