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J-GLOBAL ID：201602009103602828   整理番号：70A0038661

テルル化物スイッチングダィオードの不安定性

Instabilities in telluride switching diodes.

著者 (1件)： SHANEFIELD D
資料名： J Non-Cryst Solid  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 2  ページ： 210-216  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無定形カルコゲン化物を使った直流回路のスイッチングバイアスでは,信頼度の良い作動を得ることは困難であった。その理由は,特にSiのある場合の酸化物の形成と,記憶動作への傾向である。イオン性を最小にするような組成(例:Te6096.Se20%,As20%)にすると最も安定した特性が得られることがわかった;写図1参32

シソーラス用語： スイッチングダイオード ,  テルル化物 ,  安定性 ,  半導体
準シソーラス用語： テルル化物(半導体) ,  不安定性 ,  不安定性(スイッチングダイオード)

タイトルに関連する用語 (2件)： テルル化物 ,  不安定性