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J-GLOBAL ID：201602009111974289   整理番号：72A0043348

熱処理した引上げシリコン結晶中の熱的ドナー形成におよぼす炭素の影響

The effect of carbon on thermal donor formation in heat treated pulled silicon crystals.

著者 (2件)： BEAN A R ,  NEWMAN R C
資料名： J Phys Chem Solids  (Physics and Chemistry of Solid)
巻： 33  号： 2  ページ： 255-268  発行年： 1972年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 赤外局在モード吸収の測定から,400-550°Cの温度で熱処理した引上げシリコン結晶中に少なくとも4種の炭素一酸素複合体の形成を確認。炭素が高濃度で含まれているため,430°Cでの加熱試料も酸素クラスターに帰着される熱的ドナーの形成を阻害。これを説明するためのモデルを提出。ドナー中心からの電子吸収バンドは,数種の複合体が形成され,一部は伝導バンドから0.05および0.2eVの準位の二重ドナーとして作用することを示す;写図8表4参25

シソーラス用語： 熱処理
準シソーラス用語： シリコン ,  ドナー中心 ,  赤外吸収スペクトル ,  不純物効果

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱処理 ,  引上げ ,  シリコン結晶 ,  ドナー ,  炭素