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J-GLOBAL ID：201602009128791536   整理番号：71A0364273

シリコン単結晶内へB⁺イオン浸透のコンピュータによる研究

Computer studies of B⁺ ion penetration into Si single crystal.

著者 (4件)： ELTECKOV V A ,  KAPRUZOV D S ,  MARTYNENKO Yu V ,  YURASOVA V E
資料名： Proc Intern Conf At Collision Phenomena Solid Brighton  (Proceedings International Conference on Atomic Collision Phenomena in Solids 690907)
ページ： 657-664  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19690151  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 予稿  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶格子内を運動している高速イオンの軌道を追うために,シリコン単結晶内へ2keV~200keVのボロン・イオンの注入をコンピュータで調べ,コンピュータ・プログラムの開発を行なった。それには次の様な仮定を基にしてすすめた。1)イオンと格子原子の運動はまったく古典力学を用いて処理する。2)イオンは2つの方法で原子との相互作用が考えられる。a).中心力ポテンシャルとの弾性的相互作用,b)一定の形式で限られた力での非弾性的相互作用。3)格子原子間の相互作用は考慮しない。4)各イオンは個々に考慮する。すなわち入射ピーム・イオンの相互作用は無視する

シソーラス用語： keV領域 ,  イオン注入 ,  けい素 ,  シミュレータ ,  ほう素 ,  単結晶 ,  弾性散乱 ,  電子計算機 ,  非弾性散乱
準シソーラス用語： イオンインプランテーション

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン単結晶 ,  イオン ,  浸透 ,  コンピュータ ,  研究