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文献
J-GLOBAL ID:201602009135430166   整理番号:68A0219852

4相MOSスイッチング回路の過渡解析

Transient analysis of four-phase MOS switching cir-cuits.
著者 (1件):
資料名:
巻:号:ページ: 1-5  発行年: 1968年
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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4相MOSスイッチング回路はMOSLSIアレーに用いる場合にいろいろな利点があるため注目されているが,PチャネルエンハンスメントモードのMOSトランジスタを用いた回路の過渡特性を理論解析し,特に解析モデル,放電特性,充電特性を検討した。過渡解析用のコンピュータプログラムを開発し,最悪条件の設計に対して解析し,与えられたクロック周波数と構造寸法に対して回路の最大素子数を求めた。コンピュータを用いた設計を簡単にするために出力駆動用を除きMOSトランジスタの寸法は同一としている;写図7参4
タイトルに関連する用語 (3件):
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