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J-GLOBAL ID：201602009164618697   整理番号：74A0046079

反転層に対する量子論的扱いと連続体的扱い

Quantum and continuum results for inversion layers.

著者 (1件)： STERN F
資料名： Proc Intern Conf Phys Semicond 10th Cambridge Mass  (Proceedings International Conference on the Physics of Semiconductors 10th 700817)
ページ： 451-458  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700249  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si-Sio,界面のN形反転層に対する自己無どう着電荷分布とポテンシャルを量子論的に計算し,連続体近似とは大きく異なる結果を得た。磁場中の準位の幅とスピン分裂,輸送現象と散乱機構に関する最近の発展を述べた;写図3参39

シソーラス用語： 電荷分布 ,  量子効果
準シソーラス用語： 反転層

タイトルに関連する用語 (3件)： 反転層 ,  量子論 ,  連続体