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J-GLOBAL ID：201602009173961116   整理番号：70A0031968

v-Ga系中間相の拡散生成

著者 (2件)： 田中吉秋 ,  太刀川きょう治
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 34  号： 6  ページ： 597-603  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： V-Ga2元系において拡散生成される中間相の組成,組織および結晶構造を其線マイクロアナラィザー,光学顕微鏡およびX線回折により研究した。(1)V-Ga系では5種類の中間相が拡散生成された。(2)V,Gaは130ρ°C以下ではβ-W型構造を持つ安定な化合物であるが,1300°C以上ではV-Ga固溶体に変態する。(3)2V-Gaに相当する組成を持つV-Ga固溶体は1100°Cで共析変態してV,GaとV,Ga,に分離する。(4)V,Ga,は六方晶.VGa,は正方晶構造を有する化合物である;写図12表2

シソーラス用語： 拡散 ,  共析変態 ,  固溶体
準シソーラス用語： V₃Ga ,  V₃Ga₂ ,  VGa₂ ,  v-Ga合金 ,  V-Ga合金 ,  v-Ga合金(共析変態/中間相/拡散) ,  拡散(V-Ga合金/共析変態) ,  共析変態(V-Ga合金) ,  固溶体(V-Ga合金) ,  中間相 ,  中間相(V-Ga合金)

タイトルに関連する用語 (2件)： 中間相 ,  拡散