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J-GLOBAL ID：201602009190136340   整理番号：71A0034463

光伝導性絶縁体の放電特性

Discharge characteristics of photoconducting insulators.

著者 (3件)： BATRA I P ,  KANAZAWA K K ,  SEKI H
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 8  ページ： 3416-3422  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常の移動度測定方法では試料を,少くとも一方が透明な二電極間にはさみ,光を照射して,光電流を測定する。ここでは試料の一方の面をアースし,他方の面を浮かせて.初期電圧V0に荷電し,光の照射による減衰を測定する方法を述べる。解析結果を確認するために,Al基板上に析出させた無定形セレン膜の放電特性を測定。理論と実験の結果は非常によく一致し,得られた正孔の移動度はすでに報告されている他の方法による値とよく一致した;写図8参7

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  セレン
準シソーラス用語： 固体放電 ,  光伝導体 ,  絶縁体

タイトルに関連する用語 (2件)： 絶縁体 ,  放電特性