文献

J-GLOBAL ID：201602009202681152   整理番号：71A0248354

GaAsの液相エピタキシにおけるZnの分布係数の結晶面方位依存性

Orientation dependence of the zinc distribution coefficient in the liquid-phase epitaxy of gallium arsenide.

著者 (2件)： KELLER K ,  MUENCH W V
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 14  号： 6  ページ： 526-528  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 定量的に検討するために,Zn蒸気が逃けないように半閉式の装置を用いて,いろいろな条件で蒸着実験を行なった。エピタキシャル成長の最初の温度は800°Cで,1.67°C/分と5°C/分の一定冷却速度で温度制御する。エピタキシャル層厚は55~75μで,不純物濃度の変動は10%以下である。650~800°Cの範囲では不純物の分布係数は温度に依存せず,Znでは(111)面に対して2×10^-2,(111)面に対して1×10^-2である。冷却速度の影響は小さい。(100)では5°C/分の冷却で1×10^-2,1.67°C/分の冷却で1.5×10^-2を得た;写図3参6

シソーラス用語： エピタクシー ,  ひ化ガリウム ,  不純物分布
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  液相 ,  エピタキシ ,  Zn ,  分布係数 ,  結晶面 ,  方位依存性