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J-GLOBAL ID：201602009224982482   整理番号：73A0035348

混合価電子半導体におけるホッピング伝導

Hopping models in mixed valence semiconductors.

著者 (2件)： AUSTIN I G ,  GAMBLE R
資料名： Proc Intern Conf Conduction Low-Mobility Mater 2nd Eilat  (Proceedings International Conference on Conduction in Low-Mobility Materials 2 710405)
ページ： 1-18  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19710188  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiOのような3d酸化物,フェライト,ガーネット,3dイオンを含むガラス等は3d準位におけるホッピング伝導が観測される。このゆっくり動く担体は格子をひずませ,微小ポーラロンを形成する。担体の局在化のモデルについて,静電ポーラロン,ヤーン・テラーポーラロン,不純物や無秩序の効果等について検討し,伝導現象についても検討を加えている;写図9表2参33

シソーラス用語： ポーラロン ,  ホッピング伝導
準シソーラス用語： 混合価電子半導体

タイトルに関連する用語 (2件)： 価電子 ,  ホッピング伝導