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文献
J-GLOBAL ID:201602009265581336   整理番号:68A0218213

ダイオードの電圧一容量法によるシリコンエピタキシャル層の不純物分布の測定

Diode voltage capacitance method for measuring resistivity and impurity profile in a silicon epitaxial layer.
著者 (1件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 31-341  発行年: 1968年
JST資料番号: E0226A  ISSN: 0038-111X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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表面から高濃度で浅い反対導電形の不純物拡散を行なってダイオードを作りその電圧-容量特性からエピタキシャル層の不純物分布を推定する方法について述べた。この方法は他の方法に比して手数がかかるが正確である。測定点は正確な微係数を得るために容量の変化が5%以内になる様に多くとる必要がある。面積の測定を正確にし,100kHz以上の周波数を用い,できれば暗黒中で行なうのが良い。深部の濃度を知るには表面をエッチしてから拡散を行なう;写図7参8
タイトルに関連する用語 (4件):
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