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J-GLOBAL ID：201602009296569865   整理番号：74A0028731

高周波スパッタでサファイア基板上に蒸着された窒化アルミニウム薄膜

rf-sputtered aluminum nitride films on sapphire.

著者 (3件)： SHUSKUS A J ,  REEDER T M ,  PARADIS E I
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 24  号： 4  ページ： 155-156  発行年： 1974年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンモニアガス中におけるアルミニウム電極の高周波スパッタによって,サファイア基板の(0001)面と(0112)面上に窒化アルミニウム薄膜の単結晶が作られた。基板の方向はどちらでも作られた膜はきれいで,滑らかで,圧電性を有している。サファイア基板の(0001)面上に作られた膜に対して,表面弾性波の有効な圧電結合定鋼K²=0.2%以上であることが明らかとなった;写図2参11

シソーラス用語： スパッタリング ,  蒸着 ,  薄膜
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  圧電結合定数 ,  窒化アルミニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波スパッタ ,  サファイア基板 ,  蒸着 ,  窒化アルミニウム ,  薄膜