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J-GLOBAL ID：201602009336104259   整理番号：71A0261232

メモリ特集金属磁性膜メモリ構造と特性

著者 (1件)： 天野きつ太郎
資料名： 電子通信学会誌  (電気通信学会雑誌)
巻： 54  号： 4  ページ： 529-531  発行年： 1971年 
JST資料番号： F0019A  ISSN： 0373-6121  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 金属磁性薄膜メモリにおいて.反磁界,クリープ現象などの問題を解決し.現在開発実用化が進められている代表的なものとして,ワイヤメモリ,ファインストライプメモリをあげ,これらの構造,動作特性,将来性などについて述べた。周辺回路の整合性を改善する方策について考察した;写図3表1参16

シソーラス用語： 磁性薄膜
準シソーラス用語： 磁性線記憶装置 ,  磁性薄膜記憶装置

タイトルに関連する用語 (2件)： 金属磁性膜 ,  メモリ構造