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J-GLOBAL ID：201602009350670046   整理番号：71A0024137

X線トポグラフィーによるSiの転位速度の直接測定

Direct dislocation velocity measurement in silicon by X-ray topography.

著者 (2件)： KANNAN V C ,  WASHBURN J
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 9  ページ： 3589-3597  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si中の弧立したらせん軽位及び60.転位のすべ1)速度を775-925°Cの温度領域で測定した。転位の変位を測定するのに用いたX線トポグラフにより.ほとんど完全なSi結晶中の転位増殖の初期段階に関する定性的な情報も得られた。新しい転位の速度の温度依存性をキンク対核生成及びキンク伝搬模型を基にして解析する。60・転位およびらせん転位の運動の活性化エネルギーの測定値は1.8±0.3eVであった:写図6表2参28

シソーラス用語： X線トポグラフィー ,  転位
準シソーラス用語： シリコン

タイトルに関連する用語 (4件)： X線トポグラフィー ,  Si ,  転位速度 ,  直接測定