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J-GLOBAL ID：201602009387134500   整理番号：64A0025236

型ゲルマニウムのノでのホッエクロンの影響

Hot electron effects in ntype germanium at.
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著者 (1件)：
G CS.GUMN K W

G CS.GUMN K W について


資料名：
J Electron Control  (Journal of Electronics and Control)

J Electron Control について


巻： 16  号： 5  ページ： 481-491  発行年： 1964年 
JST資料番号： C0287A  CODEN： JELCA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 
抄録/ポイント：
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電界強度3 kV/cmまでの直流電界中におかれた1 OA-・のN型ゲル7ニウムの複素誘電率の電界強度に依る変化を測定した.測定周波数は.9.3 9 2 G C/sであり,マイクロ波の電場は印加電界より充分に小さい.マイクロ波電界と直流印加電界が平行のときには.導電度は.微分移動度((1v/(1ε)に依って支配され,自由キャIJアは.印加電界が,500Vン6a以上のときには.誘電定数を増加させるように作用することが.判った;図5表1参1?
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ゲルマニウム

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