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J-GLOBAL ID：201602009418113302   整理番号：70A0037253

A^IIB^IVC^V型三元化合物の無定形膜の電流電圧特性

Особенности вах аморфных слоев на основе тройных систем AII-B I V-C V.

著者 (5件)： БАРЫШЕВ В Г ,  БОЛТИВЕЦ Н С ,  БОРЩЕВСКИЙ А С ,  ГОРЮНОВА Н А ,  ОРЕШКИН П Т
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 2  ページ： 372-375  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： CdGeAs,IZnGeAs,CdGeP、型の無定形蒸着膜を作り.膜厚2~6μの試料について電流電圧特性をしらべた。正弦波電圧に対して,周波数による負性抵抗域の出現をしらべた。パルス電圧に対する応答スイッチ特性についても研究した;写図3参7

準シソーラス用語： CdGeAS₂ ,  CdGeP₂ ,  ZnGeAs₂ ,  スイッチング特性 ,  電流-電圧特性 ,  無定形半導体

タイトルに関連する用語 (2件)： 無定形 ,  電流電圧特性