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J-GLOBAL ID：201602009425710960   整理番号：72A0040813

GaAsにおける銅に誘起された1.35eVのルミネセンスバンドの温度消尽の機構

On the mechanism of temperature quenching of the copper-induced 1.35 eV luminescence band in GaAs.

著者 (2件)： GLINCHUK K D ,  PROKHOROVICH A V
資料名： Phys Status Solidi A  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 5  号： 3  ページ： K195-K198  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuをドープしたP型GaAs単結晶(N,冒0.5-3。0×1096.掴,31015-1017cm3)の1.35eVルミネセンスバンドの温度による消尽を7ト250。Kの間で測定し。そのN,及びN,の濃度差に対する振舞いのちがいより.ルミネセンスの温度消尽を説明する再結合遷移のモデルを提唱した;写図2参4

シソーラス用語： ルミネセンス
準シソーラス用語： GaAs ,  温度消尽

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  銅 ,  誘起 ,  消尽