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文献
J-GLOBAL ID:201602009429910999   整理番号:60A0014714

天然けい素の陽子衝撃からのガンマ線

Gamma rays from the proton bombardment of natural silicon.
著者 (3件):
資料名:
巻: 120  号:ページ: 251-253  発行年: 1960年
JST資料番号: D0323B  ISSN: 0031-899X  CODEN: PHRVA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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薄い天然SiをEp=300~1800keVの陽子線で衝撃した際の,γ線励起曲線を観測した,陽子エネルギーを小さく変えるために,ターゲット電圧を変える方法をも採用した,55の共鳴が観測されたが,そのうち40は他で濃縮Si29,Si30について行なった実験からSi29,Si30+pによるものであることが分かった。Si28+p反応に対するものとして,15の共鳴が観測された;図1表1
タイトルに関連する用語 (4件):
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