文献
J-GLOBAL ID:201602009432719264 整理番号:71A0033011
シリコンの電界蒸発
On the field evaporation of silicon.
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著者 (1件):
ERNST L
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資料名:
Surf Sci (Surface Science)
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巻:
21
号:
1
ページ:
193-196
発行年:
1970年
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
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電界蒸発がはじまる最小の電場とフェルミ準位の関係を表面に正孔が蓄積する模型を用いて表面量子化の効果を考えて議論;写図1表1参11
シソーラス用語:
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