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J-GLOBAL ID：201602009460092943   整理番号：59A0049944

転位のないけい素単結晶の引上法による生成

Growth of Silicon Crystals Free from Dislocations.

著者 (1件)： DASH W C
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 30  号： 4  ページ： 459-474  発行年： 1959年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： エッチング法と銅を転位に凝縮させる方法とで調べた。転位の原因は,引上軸の方向,種の表面損傷,引上中の熱的または機械的な衝撃などである。転位のない単結晶を引上げるには,引上軸としては<100>または<111>を用い,最初種をしぼり細くして種からの転位の成長を防ぐ;写20図2表1参24

タイトルに関連する用語 (4件)： 転位 ,  けい素 ,  単結晶 ,  引上法