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J-GLOBAL ID：201602009478358460   整理番号：72A0369374

瞬間的エネルギの関数として固体へ入射したイオンの空間分布

Spatial distribution of ions incident on a solid target as a function of instantaneous energy.

著者 (1件)： BRICE D K
資料名： Radiat Eff  (Radiation Effects)
巻： 11  号： 3  ページ： 227-240  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0224A  ISSN： 0033-7579  CODEN： RAEFBL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入は半導体へのドーピングにたいして,容易かつ正確な制御技術を必要とする。また素子の電気的性質を注入領域の最終的な空間分布やこれら注入原子の格子内位置に依存するが,この論文の目的は固体へ入射した種々のエネルギーをもつイオンの空間分布を計算するための方法について述べ,これら計算式は空間分布の一次と二次空間モーメントをとる積分方程式に限定され,¹¹B,²²Si,¹¹⁵Inの各イオンについて調べた。その方程式の解法はターゲットの原子とイオン間の1回衝突でのエネルギ移行の拡張にセカンド・オーダーまで得た。また注入されたイオンの通路に沿っての平均飛程も同様な方程式で推論した

シソーラス用語： イオンビーム ,  イオン注入 ,  エネルギー ,  半導体 ,  分布
準シソーラス用語： インジウム-115 ,  けい素-22 ,  ほう素-11 ,  結晶ドーピング

タイトルに関連する用語 (6件)： 瞬間 ,  エネルギ ,  関数 ,  固体 ,  イオン ,  空間分布