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J-GLOBAL ID:201602009488497221   整理番号:71A0033198

純粋なZnOとLiをドープしたZnOにおいて遅い場によって誘起される遅い緩和

Slow field induced relaxation on pure and Li-doped ZnO.
著者 (1件):
資料名:
巻: 22  号:ページ: 76-92  発行年: 1970年 
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ドープしたZnO単結晶の挙動とドープしないもののそれとを比較した結果,’徳い状態”はドーピングによってほとんど影響されないことおよび1-遅いトラップ”はLiの存在と関連していることがわかつた。場によって誘起された伝導度の減衰の機構は,本質的には光によって誘起された伝導度の減衰の機構と同じである6表面電位や移動度についても論ヒた;写図10表2参16
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