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J-GLOBAL ID：201602009492137655   整理番号：70A0034488

熱酸化シリコンの表面特性に及ぼすO⁺およびNe⁺インプランテーションの効果

Effect of O⁺ and Ne⁺ implantation on the surface characteristics of thermally oxidized Si.

著者 (2件)： CHOU N J ,  CROWDER B L
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 4  ページ： 1731-1738  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOS構造へのイオンインプランテーションの効果について調べた。インプランテーションパラメータの選択に依存して,次のような効果がある事がわかった:(1)酸化シリコン中の変位損傷,(2)Si/Sio・界面付近に速い状態および正固定電荷が発生する,(3)基板にドープされる。等温焼なましと共にMOS容量の測定を行い,速い状態は禁制帯の中心に局在し,インプランテーションによって生じた点欠陥と物理的に関係しているのではないかという事がわかった。O+をインプラントした試料では.速い状態が消失する焼なましを行った後にもなお正電荷が残る事がわかった。この残留電荷についても論ずる;写図8表1参25

シソーラス用語： MOS構造
準シソーラス用語： SiO₂ ,  インプランテーション ,  ネオンイオン ,  酸素イオン ,  表面特性

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱酸化 ,  シリコン ,  表面特性 ,  インプランテーション