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J-GLOBAL ID：201602009521748642   整理番号：72A0256031

InPにおける高電界電流不安定性

High-field-current instabilities in In P.

著者 (1件)： PREW B A
資料名： Electron Lett  (Electronics Letters)
巻： 7  号： 19  ページ： 584-585  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InPの高周波での電流不安定性が最近観測されてるが,その場合素子の形状についてはただ一つだけのものについて考察されたのみで,ドメインモード動作と関係するような電流波形あるいは周波数を示す試料は存在しなかった。この結果は3準位遷移理論とよく一致する。本文では高周波およびドメインモード動作についての実験結果と計算機シミュレーションの結果を示した。これらの試料では2~5GHzの周波数で試料の長さに無関係に発振するが10^-8Hのインダクタンスをつけ加えると発振の振幅が増し周波数が減少する;写図2参8

シソーラス用語： 安定性 ,  化合物半導体 ,  計算機シミュレーション ,  電流
準シソーラス用語： マイクロ波発振

タイトルに関連する用語 (3件)： InP ,  高電界 ,  不安定性