抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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おのおの変位場としてAr/r3を持つランダムなドナー分布oナー/ccを仮定してSbとGeの相対的な内部ひずみの分布を;十算.た。εの分布は半値幅△:4,z2/9/3°ρAを持つLorentz型てあにとが示される。Ge:Sb遷移の幅の濃度依存性はドナー自身のひ了みのひろがりによるものでなくそれらの波動関数が重なり合う効果によるものであると思われる;馳参9