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J-GLOBAL ID：201602009603228191   整理番号：71A0043801

半導体中の不純物準位の深さの決定法

Об определении глубины залегания примесных уровней в полупроводниках.

著者 (2件)： АЛИЕВА Б С ,  ТАГИРОВ В И
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 11  ページ： 2182-2184  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 半導体の禁制帯中にいくつかの準位が存在する場合に,不純物中心の活性化エネルギーを簡単に求める方法を述べた。K準位の中心の濃度をN,・自由担体濃度をnとすると.nl=(n~nΣにIN,)/(Σ1,,Nk-n)を求めれば,log(nlT3’2)の1/Tに対するこう配が.i準位の活性化エネルギーε,を与える;写図1表1参4

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  半導体 ,  不純物準位

タイトルに関連する用語 (1件)： 不純物準位