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J-GLOBAL ID：201602009659900968   整理番号：72A0256817

二酸化シリコンからの移動性ナトリウムの除去法

Removal of mobile sodium from silicon dioxide.

著者 (2件)： BARILE C A ,  RAIDER S I
資料名： IBM Tech Disclosure Bull  (IBM Technical Disclosure Bulletin)
巻： 13  号： 5  ページ： 1114  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0292B  ISSN： 0018-8689  CODEN： IBMTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱酸化によって形成されたSiO₂膜において,電気的に可動なナトリウムイオンは,空気一SiO₂界面に多く集まる。このイオンは約200AのSIO₂をエチングすることによって除去される。この現象に着目し,アニール.エッチ.アニール,エッチのサイクルを繰返しておこなうことによってナトリウムイオンを除去する方法をのべる

シソーラス用語： ナトリウム ,  半導体材料
準シソーラス用語： シリコン ,  製造技術

タイトルに関連する用語 (4件)： 二酸化シリコン ,  移動性 ,  ナトリウム ,  除去法