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J-GLOBAL ID：201602009732165406   整理番号：70A0251061

階段形PN接合半導体デバイスの容量の周波数依存性

An analysis of the frequency dependence of the capacitance of abrupt P-N junction semiconductor devices.

著者 (2件)： O’HEARN W F ,  CHANG Y F
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 13  号： 4  ページ： 473-483  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 理論解析は,小信号条件をもとにし,ドナー密度に対するアクセプタ密度比の大きな半導体デバイスに応用できる。接合形デバイスの全容量はせん移領域容量と複素注入アドミッタンスによるいろいろな成分が並列になったものであり,周波数依存性をもつ成分は注入アドミッタンスと伝導インピーダンスである。せん移領域容量は,周波数依存性を示さない。二つのGeダイオードの全容量を印加直流バイアスの関数として計算し,結果を1~100MHzの間の6つの周波数で求めた。この理論計算の結果と実験結果とは非常によく一致する;写図5表1参12

準シソーラス用語： 接合容量

タイトルに関連する用語 (4件)： 階段形 ,  PN接合 ,  半導体デバイス ,  周波数依存性