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J-GLOBAL ID：201602009777307791   整理番号：71A0242454

金をドープしたSiのキャリヤ発生率に対するストレス効果

Effect of stress on the carrier generation rate in gold-doped silicon.

著者 (4件)： PRINCE J L ,  WORTMAN J J ,  MONTEITH L K ,  HAUSER J R
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 13  号： 12  ページ： 1519-1526  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金をドープしたSiの空乏領域のキャリヤの熱的発生率を[110]方向に加えたストレーンの関数として測定し,その温度特性を測定した。またある温度での[100]方向のストレーンについても測定した。 発生率は-20°Cで零ストレーンから5×10^-3のストレーンまでにほぼ100%近く増加する。 この実験結果はショックレーリードの統計と変形。電位理論を基礎にしたモデルで説明できる。キャリヤ発生率の増加はバンドの極端なシフトのみによる増加となり,実験と理論はよく一致する;写図7参17

準シソーラス用語： Si ,  キャリヤ発生率 ,  ストレス効果 ,  ストレス効果(Si) ,  金ドープSi

タイトルに関連する用語 (6件)： 金 ,  ドープ ,  Si ,  キャリヤ ,  発生率 ,  ストレス