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文献
J-GLOBAL ID:201602009822081449   整理番号:68A0213409

動作電圧および二次破壊に及ぼすトランジスタのコレクタの設計の効果

The effect of transistor collector design on operating voltage and second breakdown.
著者 (1件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 49-50  発行年: 1968年
JST資料番号: E0226A  ISSN: 0038-111X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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コレクターペース破壊電圧に等しい開放ペース,コレクターエミッタ破壊電圧を得ることが可能であることが分った。これはシリコンのエピタキシャル技術と特別設計したコレクタの三重拡散トランジスタで作り得た。したがってある時間間隔でのコレクターエミソタ電圧よ高高い電圧で作動し得る。本実験の試料はTO-5パックのもで,パルス幅は300uSeCである;写図3
タイトルに関連する用語 (4件):
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