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J-GLOBAL ID：201602009875702160   整理番号：71A0038739

Siのエピタキシャル成長

Epitaxial growth of silicon.

著者 (1件)： JOYCE B A
資料名： Proc Symp Silicon Device Process Gaitherburg  (Proceedings Symposium on Silicon Device Processing 700602)
ページ： 19-20  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700063  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルSi膜の基本的な特徴とこれに関連したデバイス・プロセシング技術を慨説。またプロセシング技術の将来の開発の展望と限界を検討。まずsiHc1,,Siq,,SiH,などとH,の成長システムを述べ。成長機繕から考えた理想的な気相成長システムを検討。結晶欠陥が基板の表面汚染によることを示し,低温成長との関連を述べた。さらに.最初の不純物の再分布と絶縁基板上のS膜について述べ,将来の動向を検討

シソーラス用語： エピタクシー ,  気相成長
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  結晶欠陥

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  エピタキシャル成長