文献

J-GLOBAL ID：201602009879044302   整理番号：71A0248444

半導体材料,プロセス制御.素子の特性測定法

Methods of measurement for semiconductor materials, process control. and devices.

資料名： Tech Note Natl Bur Stand  (Technical Note. National Bureau of Standards)
号： 520  ページ： 69p  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0515A  CODEN： NBTNA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体材料の特性測定法のうち主に比抵抗,キャリヤ寿命および金を拡散したSi.ガンマ線探知器用Geなどについて述べた。半導体素子製作時のプロセス制御として基板上のAl薄膜の評価,ワイヤポンドに関しては超音波ポンティングにより超音波マイクロホンを使ゲてトール・チップの振幅増幅度のトール長さ依存性.周波数依存性を測定し,ポンティングマシンの性能を検討した。素子の特性沸淀法としてトランジスタの熱的性質.素子の温度分布測定,シリコン中性子探知器について述べた;写図19表6参42

シソーラス用語： プロセス制御 ,  半導体材料 ,  半導体素子

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体材料 ,  プロセス制御 ,  測定法