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J-GLOBAL ID：201602009897488080   整理番号：74A0237909

大電力GaAs FET増幅器一多数ゲート構造

High-power GaAs FET amplifier. A multigate structure.

著者 (6件)： NAPOLI L S ,  DeBRECHT R E ,  HUGHES J J ,  REICHERT W F ,  DREEBEN A ,  TRIANO A
資料名： Dig Tech Pap IEEE Int Sol  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 16  ページ： 82-83  発行年： 1973年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重エピタキシャル層,多数ゲートのGaAs FETを開発し,1個のFETで,4GHzにおいて800mWの出力を得ている。Cr添加基板上にSe添加した2-4×10¹⁶cm^-3の電子のエビを成長し,さらに高濃度のエビ層を成長させソース,ドレインのオーム性電極をつけ,これをマスクに高濃度層をエッチオフして,V形状のSchottkyゲートを8個並列にセルフアライメントゲート法で作成している。ゲートボンディングパッドは8個ある。最大出力は,1dB利得コンプレッション時に800mW,ドレインバイアスは11.5V,ゲートバイアスは4~5Vである;写図4

シソーラス用語： FET ,  ひ化ガリウム ,  電力増幅器 ,  半導体金属接合
準シソーラス用語： Schottky障壁

タイトルに関連する用語 (5件)： 大電力 ,  GaAs ,  FET ,  増幅器 ,  ゲート