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J-GLOBAL ID：201602009909234390 整理番号：69A0028142
半金属一半導体転移点での可能な異常
Possible anomalies at a semimetalsemiconductor tranI sition.
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資料名：
Rev Mod Phys (Reviews of Modern Physics)
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巻：
40
ページ：
755-766
発行年：
1968年
JST資料番号：
D0518A
ISSN：
0034-6861
CODEN：
RMPHAT
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
文献レビュー
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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励起子絶縁体のこれまでの研究のレヴュー。半金属と半導体の相の間に励起子を生じる新らだな相が考えられ,励起子に伴なう格子のひずみ,状態図,観測の可能性など既に発表されている研究の総括間接バンドギャップ半導体は圧力を加えると半金属に変換する(その逆も起る)。低温では励起子相あるいはいくつかの異常が転移圧力付近で生ずる。直接バンドギャップの場合,対称によりバンドギャップが零の場合も論じた;写図8参58
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