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J-GLOBAL ID：201602009911442412 整理番号：70A0364700
ニッケルーシリコン接触に及ぼすシリコンの表面状態の効果
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著者 (1件)：
伊藤容吉
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資料名：
Jpn J Appl Phys (Japanese Journal of Applied Physics)
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巻：
9
号：
8
ページ：
926-930
発行年：
1970年
JST資料番号：
G0520A
ISSN：
0021-4922
CODEN：
JJAPA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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シリコン表面の鏡面研摩でできる残留損傷とひずみが,Niとn型(111)Si面の間に形成されるSchottky障壁の高さにどんな影響を与えるかを調べた.Siの表面かごら1μまたはそれ以上の層を取り除くと,障壁高は約0.56eVから0.53eVに減少する.これは鏡面研摩した表面の深さ約1μの層の中に,Schottky障壁高の変化で検出可能な効果があることを示している:参13
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