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J-GLOBAL ID：201602009933674031   整理番号：70A0037118

Bをドープした半導体人造ダイヤモンドの電気的,光学的性質

Некоторые электрические н оптические свойства искусственных полупроводниковых алмазов, легированных бором.

著者 (6件)： БЕЗРУКОВ Г Н ,  БУТУЗОВ В П ,  ГЕРАСИМЕНКО Н Н ,  ЛЕЖЕЙКО Л В ,  ЛИТВИН Ю А ,  СМЗРНОВ Л С
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 4  ページ： 693-696  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 成長過程でBをさまざまの濃度にドープしたダイヤモンドの比抵抗(300~800.K),伝導の型,高速電子線励起ルミネセンス(90,300.K)をしらべた。伝導はP形.アクセプタ活性化エネルギーは0.35eV.ルミネセンスは3000-10000Aの間ではドナー一アクセプタ再結合による広いピークを持つ;写図4参15

シソーラス用語： ダイヤモンド ,  ほう素 ,  陰極線ルミネセンス ,  再結合
準シソーラス用語： ダイヤモンド中 ,  ほう素(ダイヤモンド中) ,  伝導型

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  人造ダイヤモンド ,  光学的性質