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J-GLOBAL ID：201602009943067451 整理番号：65A0166153
電圧制御抵抗としての電界効果トランジスタ
FETs as voltagecontrolled resistors
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著者 (1件)：
SHERWIN J S
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資料名：
Solid State Des (Solid State Design)
Solid State Des について
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巻：
6
号：
8
ページ：
12-14
発行年：
1965年
JST資料番号：
D0062A
CODEN：
SSTDA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
解説
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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電界効果トランジスタは,ソースードレイン間の電圧V
DS
がチャネルピンチオフ電圧V
P
よへり小さい範囲ではソースーゲート電圧V
GS
により制御される抵抗を有するので特殊な用途がある。この抵抗の直線性は,V
DS
=0.1V迄は保たれ,またダイナミックレンジはV
P
で決まる。温度係数は,たとえばV
P
>0.63のシリコンFETではV
GS
=Oでは正であるが,V
GS
の増加と共に減少してゆき,零を通って負の係数を持つようになる。本文では,実際の回路設計に必要なシリコンFETの代表的な定数値とそれらの測定回路を紹介;図8表1参1
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