文献

J-GLOBAL ID：201602009946028430   整理番号：71A0242639

Si単結晶上のスパッタSiO₂層の特性

Untersuchung Gesputterter SiO2-Schichten auf Si-Einkristallen.

著者 (2件)： REINDL K ,  WIDMANN D
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 13  号： 11  ページ： 1445-1450  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si単結晶ウェファにスパッタ法で直接SiO₂層を形成する不安定性をトラップする傾向が生ずる。 一方,イオン不安定性は重要な役割りを果していないように考えられる。 同一の膜厚で比較した場合,熱成長SiO₂膜よりもスパッタ法で形成したSiO₂膜の方がピンホール密度が低い。 誘電体強度および緩衝ふっ酸に対するエッチング速度は熱成長SiO₂と等しい。 〈111〉,〈100〉SiにB.Pを添加した各種比抵抗の試料についてスパッ法と熱酸化法を比較し.C-V特性を検討した;写図3表3参8

準シソーラス用語： スパッタSiO₂膜

タイトルに関連する用語 (3件)： Si単結晶 ,  スパッタ ,  SiO2