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J-GLOBAL ID：201602009959100106   整理番号：71A0030763

真空蒸着によるポリアクリロニトリルの半導体薄膜の形成

著者 (3件)： SUZUKI M ,  TANAKA Y ,  ITO S
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 10  号： 6  ページ： 817-818  発行年： 1971年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空気中,約200°Cであらかじめ熱処理したポリアクリロニトIlル(PAN)の粉末から,約1×10-5torrでPANの薄膜を真空蒸着した。この薄膜は溶液成長した薄膜または圧力モールディングした試料で行うのと同様の処理によって,半導体的になる;写図2参2

シソーラス用語： ポリアクリロニトリル ,  薄膜

タイトルに関連する用語 (3件)： 真空蒸着 ,  ポリアクリロニトリル ,  半導体薄膜