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J-GLOBAL ID：201602009984176320   整理番号：58A0060940

サイラトロン特性を持つトランジスタとそれに関する装置

A Transistor with Thyratron Characteristics and Re-lated Devices.
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著者 (1件)：
Von MUNCH W

Von MUNCH W について


資料名：
J Br IRE  (Journal of British IRE)

J Br IRE について


巻： 18  号： 11  ページ： 645-652  発行年： 1958年 
JST資料番号： C0272A  CODEN： RDEEA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR) 
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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サィラトロンのような入力特性を持つ半導体装置は合金過程で高抵抗の珈U接合型トランジスタのコレクタ接触にタングステン線を浸すことにより得られる.その製法,電気的機能を詳述した.ベース領域での半径方向電圧降下は小断面積領域へのキャリア移動に制限があることを示し,数個の出力電極のある装置の構成を示した.対称なスイッチングトランジスタの特別な構造も研究している
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サイラトロン

サイラトロン について

, 
トランジスタ

トランジスタ について


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