文献

J-GLOBAL ID：201602010077106980   整理番号：71A0245690

半絶縁性GaAsを用いた素子

Devices in semi-insulating gallium arsenide.

著者 (2件)： FERRO A P ,  GHANDHI S K
資料名： Proc Natl Electron Conf  (Proceedings of the National Electronics Conference)
巻： 26  ページ： 219-222  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0316A  CODEN： PNECA   資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 予稿  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半絶絃性GaAsを用いてPINダイオードを制作すると電流制御形の負性抵抗が観測される。この負性抵抗の原因を実験的に検討した。使用した素子はO₂-ドープの半絶縁性結晶を使用したPINダイオードである。電圧・電流特性を 測定し,赤外線顕微鏡で観測した結果,この負性抵抗は電流フィラメントによることが分った。このPINダイオードの応用についても検討した;写図7参6

シソーラス用語： PINダイオード ,  ひ化ガリウム ,  負性抵抗

タイトルに関連する用語 (2件)： 半絶縁性 ,  GaAs