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J-GLOBAL ID：201602010083968780   整理番号：72A0130083

けい素-水素-塩素蒸着系の熱力学的解析

A thermodynamic analysis of the silicon-hydrogen-chlorine vapor deposition system.

著者 (2件)： HUNT L P ,  SIRTL E
資料名： Int Conf Chem Vap Depos  (International Conference on Chemical Vapor Deposition)
巻： 2  ページ： 3-24  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0761A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 予稿  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温下でのSi-H-CI系の自由エネルギーの極小から計算した結果をグラフで示した。温度と気相の平衡組成を図に示した。低温での成分はSic1,>SiHCI,>SiH,C1,>SiH,CI>SiH,であった。各温度でのけい素生成量を同時に示した。SiCI,が著しく増している;写図12表3参30

シソーラス用語： けい素 ,  塩素 ,  蒸着 ,  水素 ,  熱力学

タイトルに関連する用語 (5件)： けい素 ,  水素 ,  塩素 ,  蒸着 ,  力学的解析