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J-GLOBAL ID：201602010099176736   整理番号：71A0030733

水平反応器中でのシランからシリコンがエピタキシャルに成長するための静止層モデル

A stagnant layer model for the epitaxial growth of silicon from silane in a horizontal reactor.

著者 (4件)： EVERSTEYNF C ,  SEVERIN P J W ,  BREKEL C H J ,  PEEK H L
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 117  号： 7  ページ： 925-931  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンのエピタキシャル成長源としてシランは,Sic1、,SiHCI、より多くのすぐれた点をもつが,シランは一方ではかなり不安定であり熟をもった反応器の壁上で分解する。そこで水冷式の反応器がこのために必要となるが.本報ではこの場合のガスフローパターンをガスフn-一中にTio,粒子を噴入することによって確認。一方傾斜をもたないsusceptorによるエピタキシャルな成長については,susceptorの傾斜角が小さいほどより均一な厚さがえられる。これらの実験結果はモデルによる理論的な予測結果とよく一致した;写図14参8

シソーラス用語： けい素 ,  シラン
準シソーラス用語： →シリコンエピタキシー ,  エピタキシー ,  エピタキシー(シリコン/反応器モデル) ,  けい素(エピタキシー) ,  シラン(→シリコンエピタキシー) ,  シリコン ,  反応器モデル

タイトルに関連する用語 (7件)： 反応器 ,  シラン ,  シリコン ,  エピタキシャル ,  成長 ,  静止 ,  モデル